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针对输入过电压，输入过电流电池过电压。当任何监控参数超过阈值，IC删除通过充电系统关闭电源内部开关。所有的保护也有deglitch时间针对由于电流瞬变或电压尖峰。的id6309集成功率PMOS体二极管漏电保护，以取代外部PMOS和Schottky diode的充电器功能手机的芯片。当chrin低于VBAT＋20mV，内部探测器将激活泄漏保护机制以防止泄漏电流电池回chrin。提供完整的id6309锂离子充电保护并节省外部PMOS和Schottky diode的手机充电器功能的芯片。以上特征和小包装使id6309理想的部分适用于手机。
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